收藏本站
MTD6N20E
SAFE OPERATING AREA
100
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
60
50
40
30
I D = 6 A
1.0
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
20
10
0.1
0.1
1.0
PACKAGE LIMIT
10
100
1000
0
25
50 75 100 125
150
1
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
D = 0.5
0.2
0.1
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1 0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.01
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T C = P (pk) R q JC (t)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MTD6P10E MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
MTD8000N4-T PHOTOTRANS 880NM DOME CLR TO-18
MTD8600N-T PHOTOTRANS 880NM DOME CLR TO-18
MTD8600N4-T PHOTOTRANS 880NM DOME CLR TO-18
MTD8600T-T PHOTOTRANS 880NM FLAT CLR TO-18
MTD8600T4-T PHOTOTRANS 880NM FLAT CLR TO-18
MTE1081C INFRARED EMITTER 3MM 810NM
MTE2087NJ2 EMITTER IR 870NM DOME CLR TO-46
相关代理商/技术参数
MTD6N20ET4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MTD6N20ET5G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MTD6P10E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
MTD6P10ET4 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MTD7030 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:PHOTO DIODE
MTD7030A 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:PHOTO DIODE
MTD8000M3B-T 制造商:Marktech Optoelectronics 功能描述:PHOTOTRANS 880NM DOME 3MM
MTD8000M3B-T-DIG 制造商:Marktech Optoelectronics 功能描述:PHOTOTRANS 880NM DOME 3MM